東微半導體成立於2008年，註冊資本3410萬元，專註半導體器件技術創新，擁有多項功率半導體核心專利，核心產品為中低高壓功率器件。
東微∑ 半導體擁有世界一流的技術研發團隊，其原創半浮柵技術曾發表於國際頂級雜誌《Science》。東微半導體致力於自主知識產權的半導體器件ぷ技術的研發和產業化，是“長三角集成電路設計與制造協同創新中心”的核心成■員單位。公司已有40多項〗發明專利，包括3個美國專利，有多項自主知識產權的國際原◆創核心器件技】術。
GreenMOS技術█的優點：
1. 高軟≡度深槽超級結技術：專利技術解決深槽超←級結的EMI問題，在EMI得到解決的同時不損失效率；
2. 漏電流(Idss)更小，耐壓(BV)一√致性更高；
3. 柵電荷(Qg)更小，柵極驅動電路要求低。意味著驅▽動IC中的功率管面積可以大幅縮小，驅動芯片面積可大幅縮小，成本競爭力增強, Cgd電容小，開關速度快，開關損〓耗小，可用於高端350kHz電源系統。
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